Ers i'r iPhone fabwysiadu'r sgrin gyffwrdd capacitive a ragwelir, mae nifer fawr o gynlluniau dylunio strwythurol wedi dod i'r amlwg mewn cyfnod byr o amser. Nodwedd sgrin gyffwrdd capacitive yr amcanestyniad yw bod y synhwyrydd o dan wyneb y sgrin gyffwrdd a'i fod wedi'i orchuddio â gwydr amddiffynnol. Mae rhai cynhyrchion newydd sy'n cael eu datblygu yn mabwysiadu dyluniad unochrog, hynny yw, mae'r holl haenau synhwyro wedi'u cynllunio ar un ochr i un is-set. Yn y dyluniad sgrin gyffwrdd capacitive capacitive mwyaf tenau presennol hwn, mae pob haen yn defnyddio proses sputtering aml-haen. Yn seiliedig ar egwyddor sylfaenol y sgrin gyffwrdd capacitive a ragwelir gyda dwy haen dargludol dryloyw, gellir gwneud newidiadau amrywiol yn y dyluniad. Er enghraifft, gall defnyddio gwifrau uwchfioled (10 ^ ni) ddisodli haen benodol, gan leihau'r defnydd o haen o ITO. Ar hyn o bryd, mae'r rhan fwyaf o ffonau symudol a byrddau casglu llofnodion ar y farchnad wedi'u gorchuddio â ITO ar wahanol haenau PET. Yn ogystal, mae sgriniau cyffwrdd cyffredin hefyd yn defnyddio cotiau dwbl neu wydr wedi'i orchuddio ag ITO un ochr ar is-set dwy haen.
(1) Patrwm ffilm
Yn y sgrîn gyffwrdd capacitive a ragwelir, gellir dylunio ac ysgythru'r ffilm ITO mewn amrywiaeth o ffyrdd, ond mae'r gost weithgynhyrchu yr un fath, ac oherwydd y gydberthynas uchel rhwng y synhwyrydd cyffwrdd a'r system rheoli electronig, mae'n anodd dweud pa batrwm sy'n well na phatrymau eraill.
Y patrwm a ddefnyddir yn sgrin gyffwrdd capacitive arfaethedig yr iPhone cynnar yw'r symlaf: mae'r ITO ar ddwy ochr y gwydr wedi'i ysgythru'n 10 colofn gyda lled llinell o lram a bwlch o 5mm ar y blaen, ac mae'r cefn wedi'i ysgythru'n 15 rhes, gyda lled llinell o 5mm a bwlch o 37. Yn yr haen trefniant rhes o 1 m, mae'r stribedi nad ydynt wedi'u cysylltu (ynysig) wedi'u cadw rhwng 10 colofn yr haen trefniant colofn i gynnal effaith optegol unffurf. Mae'r math hwn o ddyluniad yn gofyn am dechnoleg syml, ond mae angen pŵer prosesu cryf y rheolydd i gynhyrchu cyfesurynnau manwl gywir.
Y patrwm mwyaf cyffredin yw diemwnt sy'n cyd-gloi (mae'n 45° sgwâr). Mae ynysoedd electrod y patrwm hwn wedi'u cysylltu'n ddibynadwy (y cysylltiad byrraf), a defnyddir ardal y sgrin i'r graddau mwyaf i synhwyro capacitance bysedd. Mae'r patrwm diemwnt wedi'i rannu'n ategol Mae dwy haen, un yn rhesi siâp diemwnt llorweddol, y llall yw colofnau siâp diemwnt fertigol, ac mae'r rhan o wifrau fel pontydd bach. Mae maint yr ynys siâp diemwnt yn dibynnu ar y gwneuthurwr, fel arfer rhwng 4 ac 8mm. Ar hyn o bryd, mae'r rhan fwyaf o sgriniau cyffwrdd capacitive rhagamcanol yn defnyddio patrwm siâp diemwnt.
(2) Fel arfer, caiff ymwrthedd sgwâr dargludydd y sgrin gyffwrdd ei brosesu gyda 15011 /port (uned: n/(m2 * mil)) gwydr wedi'i orchuddio â ITO. Er mwyn ffurfio patrwm gyda lled llinell o 20pm, mae angen ei gwblhau drwy dechnoleg ffotodrydanol, megis mewn ffatrïoedd panel LCD. Yr asiant ablation ffotolithograffi a ddefnyddir yn y broses. Po fwyaf trwchus yw'r ITO, y lleiaf yw'r ymwrthedd, y gorau yw'r gymhareb signal i sŵn, ond mae'r trosglwyddiad golau yn wael; i'r gwrthwyneb, y teneuach yw'r ITO, y gorau yw'r trosglwyddiad golau, ond mae'r gymhareb signal i sŵn yn waeth. Wrth ddefnyddio PET (plastig tryloyw, yn bennaf ar gyfer cynhyrchu poteli dŵr mwynol) fel yr is-set, mae lled y llinell fel arfer yn 100 ~ 200 jim. Gellir defnyddio argraffu sgrin, ysgythru lluniau neu dorri laser i wneud lled llinell o 30 ~ 5 (Vm) ar PET. Mae proses y patrwm yn dal i gael ei hastudio. Mewn ceisiadau ymarferol, mae IT0 trydedd haen ar y gwaelod fel haen gysgodi i ynysu ymyrraeth y LCD. Mae'r haen warchod fel arfer yn defnyddio ymwrthedd sgwâr o 150 ~ 300fi / □. Mae'r llinell signal ar y ffrâm sgrîn gyffwrdd fel arfer Mae'n cael ei wneud o ddeunydd molybdenum / alwminiwm / molybdenum, sydd hefyd wedi'i blatio ar ôl ITO sputtering gan ddefnyddio proses sputtering magnetron gwactod.
